Infineon MOSFET IR35412MTRPBFAUMA1 MOSFET, 50 A, PQFN 16 V

Visualizza Gate driver
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Opzioni di confezione:
Codice RS:
219-6035
Codice costruttore:
IR35412MTRPBFAUMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Corrente di uscita

50A

Tipo di package

PQFN

Tipo di driver

MOSFET

Tensione minima di alimentazione

4.25V

Tensione massima di alimentazione

16V

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Lo stadio di potenza integrato Infineon combina la tecnologia MOSFET a bassa tensione più Advanced con il design più recente. Questa integrazione di tecnologia driver, tecnologia FET e tecnologia contenitore dimostra anche la potente combinazione di Infineon e le funzionalità di International Rectifier. Il tempo morto del rivestimento del bordo doppio porta a un miglioramento significativo dell'efficienza di Peak. Il rilevamento di corrente RDS(ON) MOSFET interno (tramite collegamento Kelvin GND dedicato) con compensazione della temperatura integrata raggiunge un'eccellente precisione di rilevamento della corrente rispetto ai metodi di rilevamento DCR dell'induttore.

Piccolo contenitore PQFN sovrastampato 5 x 6 x 0,9 mm³, passo da 0,45 mm

Report di corrente estremamente accurati

Limite di corrente costante programmabile OCSET

Tecnologia di commutazione rapida per prestazioni migliori a frequenze più elevate, maggiore efficienza di Peak

Gamma di tensioni di ingresso da 4,25 V a 16 V.

Gamma di tensioni di uscita da 0,25 V fino a 5,5 V.

Capacità di corrente di uscita di 50A

Funzionamento fino a 1,5 MHz

Ottimizzato per unità da 5 V.

Link consigliati