Driver gate MOSFET IR35412MTRPBFAUMA1, 50 A, 4.25 → 16V, PQFN

Lo stadio di potenza integrato Infineon combina la tecnologia MOSFET a bassa tensione più Advanced con il design più recente. Questa integrazione di tecnologia driver, tecnologia FET e tecnologia contenitore dimostra anche la potente combinazione di Infineon e le funzionalità di International Rectifier. Il tempo morto del rivestimento del bordo doppio porta a un miglioramento significativo dell'efficienza di Peak. Il rilevamento di corrente RDS(ON) MOSFET interno (tramite collegamento Kelvin GND dedicato) con compensazione della temperatura integrata raggiunge un'eccellente precisione di rilevamento della corrente rispetto ai metodi di rilevamento DCR dell'induttore.

Piccolo contenitore PQFN sovrastampato 5 x 6 x 0,9 mm³, passo da 0,45 mm
Report di corrente estremamente accurati
Limite di corrente costante programmabile OCSET
Tecnologia di commutazione rapida per prestazioni migliori a frequenze più elevate, maggiore efficienza di Peak
Gamma di tensioni di ingresso da 4,25 V a 16 V.
Gamma di tensioni di uscita da 0,25 V fino a 5,5 V.
Capacità di corrente di uscita di 50A
Funzionamento fino a 1,5 MHz
Ottimizzato per unità da 5 V.