Modulo Driver gate TDA21520AUMA1, 20 A, 4.25V, PQFN, 25-Pin

Lo stadio di potenza OptiMOS Infineon è uno stadio di potenza integrato contenente un IC buck gate-driver sincrono a bassa corrente di riposo che è confezionato con MOSFET di controllo e sincroni insieme a una struttura di diodi attivi che raggiunge un basso Vsd simile a uno Schottky con pochissima carica di recupero inverso. Il contenitore è ottimizzato per il layout del circuito stampato, il trasferimento di calore, la temporizzazione del controllo driver/MOSFET e la suoneria minima del nodo di commutazione quando vengono seguite le linee guida di layout. La combinazione di gate driver accoppiato e MOSFET consente una maggiore efficienza a tensioni di uscita inferiori. Il rilevamento MOSFET interno raggiunge una precisione di rilevamento della corrente superiore rispetto ai migliori metodi di rilevamento DCR a induttore basati su controller della categoria.

Rilevamento cortocircuiti MOSFET High-Side e flag
Spegnimento termico
Protezione da sovracorrente e segnale di guasto ciclo per ciclo
Modalità sleep automatico e sleep profondo per risparmiare energia
Compatibile con ingresso PWM tristato da 3,3 V
Rapporto di corrente preciso per migliorare le prestazioni a livello di sistema
Monitoraggio dei guasti di corrente e temperatura per un sistema più robusto