Modulo Driver gate TDA21535AUMA1, 35 A, 4.25 → 5.5V, PG-IQFN-25, 25-Pin

Lo stadio di potenza OptiMOS Infineon è uno stadio di potenza integrato contenente un IC buck gate-driver sincrono a bassa corrente di riposo che è confezionato con MOSFET di controllo e sincroni insieme a una struttura di diodi attivi che raggiunge un basso Vsd simile a uno Schottky con pochissima carica di recupero inverso. Il contenitore è ottimizzato per il layout del circuito stampato, il trasferimento di calore, la temporizzazione del controllo driver/MOSFET e la suoneria minima del nodo di commutazione quando vengono seguite le linee guida di layout. La combinazione di gate driver accoppiato e MOSFET consente una maggiore efficienza a tensioni di uscita inferiori. Il rilevamento MOSFET interno raggiunge una precisione di rilevamento della corrente superiore rispetto ai migliori metodi di rilevamento DCR a induttore basati su controller della categoria.

Rilevamento e segnalazione di corrente MOSFET on-chip con guadagno di 5 μA/A
Protezione da sovratemperatura e spegnimento termico
Protezione da sovracorrente e flag ciclo per ciclo
Rilevamento cortocircuiti MOSFET High-Side e flag
Ricarica automatica sul condensatore bootstrap
Compatibile con ingresso PWM tristato da 3,3 V