Infineon No Driver per MOSFET e IGBT di potenza ad alta velocità 2ED2109S06FXUMA1 MOSFET, 290 mA 2, DSO, 8 Pin 25 V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
226-6023
Codice costruttore:
2ED2109S06FXUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Driver per MOSFET e IGBT di potenza ad alta velocità

Corrente di uscita

290mA

Numero pin

8

Tipo di package

DSO

Tempo di discesa

80ns

Tipo di driver

MOSFET

Numero di uscite

2

Tempo di salita

150ns

Tensione minima di alimentazione

20V

Tensione massima di alimentazione

25V

Numero driver

2

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Altezza

1.72mm

Lunghezza

4.9mm

Larghezza

3.9 mm

Standard/Approvazioni

JEDEC47/20/22

Serie

2ED2109 (4) S06F (J)

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

No

Infineon 2ED2109S06F è un MOSFET di potenza ad alta tensione e alta velocità e un driver IGBT con canali di uscita indipendenti high-side e low-side. Si basa sulla tecnologia SOI e offre un'eccellente robustezza e immunità ai disturbi con la capacità di mantenere la logica operativa a tensioni negative fino a - 11 pin von VS su tensione transitoria. I driver di uscita sono dotati di uno stadio buffer a corrente di impulso elevata progettato per una conduzione incrociata minima del driver.

Canale flottante progettato per le operazioni bootstrap

Tensioni d'esercizio (nodo VS) fino a + 650 V.

Massima tensione di bootstrap (nodo VB) di + 675 V.

Diodo bootstrap ultra-rapido e a bassa resistenza integrato

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