Driver gate MOSFET 2ED2109S06FXUMA1, 290 mA, 20V, DSO, 8-Pin

Infineon 2ED2109S06F è un MOSFET di potenza ad alta tensione e alta velocità e un driver IGBT con canali di uscita indipendenti high-side e low-side. Si basa sulla tecnologia SOI e offre un'eccellente robustezza e immunità ai disturbi con la capacità di mantenere la logica operativa a tensioni negative fino a - 11 pin von VS su tensione transitoria. I driver di uscita sono dotati di uno stadio buffer a corrente di impulso elevata progettato per una conduzione incrociata minima del driver.

Canale flottante progettato per le operazioni bootstrap
Tensioni d'esercizio (nodo VS) fino a + 650 V.
Massima tensione di bootstrap (nodo VB) di + 675 V.
Diodo bootstrap ultra-rapido e a bassa resistenza integrato