Infineon No Driver per MOSFET e IGBT di potenza ad alta velocità Driver gate, 130 mA 1, SOIC, 8 Pin 600 V

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Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:
217-7192
Codice costruttore:
IR25602STRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Driver per MOSFET e IGBT di potenza ad alta velocità

Corrente di uscita

130mA

Numero pin

8

Tipo di package

SOIC

Tempo di discesa

90ns

Numero di uscite

2

Tipo di driver

Driver gate

Tempo di salita

170ns

Tensione minima di alimentazione

10V

Numero driver

1

Tensione massima di alimentazione

600V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.75mm

Lunghezza

5mm

Larghezza

4 mm

Serie

IR25602

Standard/Approvazioni

JEDEC JESD 47

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

No

IC driver half bridge Infineon da 600 V con correnti di 0,21 A source e 0,36 A sink, in contenitore SOIC a 8 conduttori, per IGBT e MOSFET.

Canale flottante progettato per le operazioni bootstrap

Completamente operativo fino a +600 V

Tolleranza alla tensione transitoria negativa

Immune dV/dt

Gamma di alimentazione dello stadio pilota da 10 V a 20 V

Limitazione di sottotensione

Compatibile con logica di ingresso da 3,3 V, 5 V e 15 V.

Logica di prevenzione a conduzione incrociata

Tempo morto impostato internamente

Uscita high side in fase con ingresso

L'ingresso di spegnimento disattiva entrambi i canali

Ritardo di propagazione corrispondente per entrambi i canali

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