Infineon No Modulo Driver gate Driver gate, SOIC-14N 625 V

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Codice RS:
258-4011
Codice costruttore:
IRS21834STRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Modulo Driver gate

Tempo di discesa

35ns

Tipo di package

SOIC-14N

Tipo di driver

Driver gate

Tempo di salita

40ns

Tensione minima di alimentazione

3.3V

Tensione massima di alimentazione

625V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

I driver half-bridge Infineon sono driver IGBT e MOSFET di potenza ad alta velocità e alta tensione con canali di uscita di riferimento high-side e low-side dipendenti. Le tecnologie proprietarie HVIC e CMOS immune al blocco consentono una struttura monolitica robusta. L'ingresso logico è compatibile con l'uscita CMOS o LSTTL standard, fino alla logica da 3,3 V. I driver di uscita sono dotati di uno stadio buffer a corrente di impulsi elevata progettato per una conduttività trasversale minima del driver. Il canale flottante può essere utilizzato per azionare un MOSFET di potenza a canale N o un IGBT nella configurazione high-side che funziona fino a 600 V.

Gamma di alimentazione dell'azionamento gate da 10 V a 20 V

Blocco sottotensione per entrambi i canali

Compatibile con logica di ingresso da 3,3 V e 5 V

Ritardo di propagazione corrispondente per entrambi i canali

Messa a terra logica e di potenza +/- 5 V offset

Driver gate di di/dt inferiore per una migliore immunità al rumore

Sorgente di uscita/corrente di dissipazione 1,4 A/1,8 A

Conforme a RoHS

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