Infineon Gate driver 2ED2304S06FXUMA1 MOSFET, 360 mA 2, DSO, 8 Pin 600V

Questo gate driver controlla i gate MOSFET nei circuiti di potenza ad alta tensione, fornendo capacità di commutazione a doppio canale per le attività di azionamento in un ampio intervallo di alimentazione. È progettato per l'uso a montaggio superficiale in progetti di elettronica di potenza compatti in cui sono richieste correnti di azionamento moderate e transizioni di commutazione rapide.

• Doppie uscite che forniscono un controllo discreto del gate per due transistor
• Corrente di uscita di 360 mA che consente una carica e una scarica robusta del gate
• Funziona con un'alimentazione da 10 V per supportare le guide di azionamento a bassa tensione
• Resiste fino a 600 V per applicazioni di commutazione ad alta tensione
• Tempo di salita rapido di 48 ns che migliora la velocità di accensione e le prestazioni di commutazione
• Tempo di caduta di 40 ns per ridurre le perdite di transizione di spegnimento e il suono

• Adatto per gli stadi inverter a mezzo ponte e push-pull
• Ideale per reti di commutazione ad alta tensione nei convertitori di potenza
• Utilizzato con MOSFET nei sistemi di azionamento dei motori industriali
• Può essere utilizzato per i front-end gate-driver isolati con trasformatori
• Utilizzato per moduli di potenza compatti in cui lo spazio sulla scheda è limitato

È specificato per funzionare da -40 °C fino a una temperatura d'esercizio massima di 125 °C.

Il componente è fornito in un contenitore DSO a 8 pin progettato per l'assemblaggio a montaggio superficiale con un ingombro di 4 mm di larghezza per 5 mm di lunghezza.

Il dispositivo contiene due canali driver e fornisce due uscite separate per la commutazione indipendente del gate.

L'unità soddisfa i requisiti RoHS per le sostanze soggette a restrizioni.

È configurato specificamente come driver gate MOSFET per il controllo di dispositivi MOSFET.