Infineon Gate driver MOSFET, 1.9 A, SOIC, 8 Pin 20V

Questo gate driver fornisce un controllo a doppio canale per MOSFET in stadi di potenza a bassa tensione, offrendo una capacità di commutazione rapida in un intervallo di alimentazione da 10 V a 20 V. È fornito in un contenitore SOIC a 8 pin per montaggio superficiale ed è destinato ad ambienti industriali in cui si verificano temperature estreme. Il dispositivo supporta applicazioni che richiedono tempi di salita e discesa controllati e corrente di azionamento di uscita moderata.

• La corrente di uscita di 1,9 A consente un'efficace gestione della carica del gate
• il tempo di discesa di 35 ns riduce le perdite di commutazione di spegnimento
• Il tempo di salita di 40 ns migliora il controllo della transizione di accensione
• Funziona da un minimo di 10 V per progetti a bassa tensione
• L'alimentazione massima di 20 V consente tensioni di azionamento gate più elevate
• Valore nominale massimo di 125 °C per il funzionamento ad alta temperatura

• Adatto per l'azionamento di doppi stadi MOSFET nei convertitori di potenza
• Utilizzato con topologie a mezzo ponte che richiedono uscite abbinate
• Ideale per la commutazione industriale in cui un ampio intervallo di temperatura è importante
• Può essere utilizzato per gruppi di alimentazione compatti a montaggio superficiale
• Utilizzato per sistemi che necessitano di un fattore di forma SOIC a 8 pin

È fornito in un contenitore SOIC a 8 pin progettato per l'assemblaggio a montaggio superficiale.

Funziona fino a -40 °C e fino a 125 °C, consentendo l'uso in ambienti difficili.

Fornisce due uscite progettate per azionare le porte MOSFET in configurazioni a doppio canale.

Il dispositivo misura 1,75 mm di altezza e 8,74 mm di lunghezza.

Non è specificato per l'uso standard automobilistico e non deve essere considerato conforme.