Driver gate MOSFET IRS2301STRPBF, 200 mA, 20V, SOIC, 8-Pin

Infineon IRS2301S è un MOSFET di potenza ad alta tensione e alta velocità e un driver IGBT con canale di uscita indipendente con riferimento high-side e low-side. Le tecnologie HVIC proprietarie e CMOS immune al latch consentono una robusta struttura monolitica. L'ingresso logico è compatibile con l'uscita CMOS o LSTTL standard, fino a 3,3 V. Il driver di uscita è dotato di uno stadio buffer a corrente di impulsi elevata.

Canale flottante progettato per le operazioni bootstrap
Completamente operativo fino a +600 V
Tollerante alla tensione transitoria negativa, immune DV/dt
Gamma di alimentazione dello stadio pilota da 5 V a 20 V.
Blocco di sicurezza contro sottotensione per entrambi i canali