Infineon No MOSFET MOSFET, 260 mA, SOIC, 14 Pin 16.6 V
- Codice RS:
- 226-6215
- Codice costruttore:
- IRS2453DSTRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
1610,00 €
(IVA esclusa)
1965,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,644 € | 1.610,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 226-6215
- Codice costruttore:
- IRS2453DSTRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Corrente di uscita | 260mA | |
| Numero pin | 14 | |
| Tempo di discesa | 100ns | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Numero di uscite | 4 | |
| Tipo di driver | MOSFET | |
| Tempo di salita | 120ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 20V | |
| Tensione massima di alimentazione | 16.6V | |
| Minima temperatura operativa | -25°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Serie | IRS | |
| Lunghezza | 8.74mm | |
| Larghezza | 3.99 mm | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Corrente di uscita 260mA | ||
Numero pin 14 | ||
Tempo di discesa 100ns | ||
Tipo di package SOIC | ||
Numero di uscite 4 | ||
Tipo di driver MOSFET | ||
Tempo di salita 120ns | ||
Tensione minima di alimentazione 20V | ||
Tensione massima di alimentazione 16.6V | ||
Minima temperatura operativa -25°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Altezza 1.75mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Serie IRS | ||
Lunghezza 8.74mm | ||
Larghezza 3.99 mm | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Standard automobilistico No | ||
Infineon IRS2453 è un IC driver gate half-bridge auto-oscillante che incorpora un driver gate full-bridge ad alta tensione con un oscillatore frontale simile al timer CMOS 555 standard industriale. Le tecnologie HVIC e CMOS immune al latch consentono una robusta struttura monolitica. Il driver di uscita è dotato di uno stadio buffer a corrente di impulso elevata progettato per una conduzione incrociata minima del driver. L'immunità ai disturbi si ottiene con un Peak di/dt basso del gate driver.
Pin di spegnimento con blocco di livello logico
Spegnimento non bloccato sul pin CT
FET bootstrap interni
Eccellente immunità di blocco su tutti gli ingressi e le uscite
Protezione ESD su tutti i pin
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