Infineon AEC-Q100 Driver per impieghi generici 1EDI3030ASXUMA1 Impieghi generici, 20 A 1, DSO, 20 Pin 5.5 V
- Codice RS:
- 232-3033
- Codice costruttore:
- 1EDI3030ASXUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 unità*
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- Codice RS:
- 232-3033
- Codice costruttore:
- 1EDI3030ASXUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Driver per impieghi generici | |
| Corrente di uscita | 20A | |
| Numero pin | 20 | |
| Tipo di package | DSO | |
| Tempo di discesa | 45ns | |
| Tipo di driver | Impieghi generici | |
| Numero di uscite | 4 | |
| Tempo di salita | 55ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 5.5V | |
| Tensione massima di alimentazione | 5.5V | |
| Numero driver | 1 | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 6.4 mm | |
| Lunghezza | 7.5mm | |
| Serie | 1EDI3030AS | |
| Altezza | 2.65mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Driver per impieghi generici | ||
Corrente di uscita 20A | ||
Numero pin 20 | ||
Tipo di package DSO | ||
Tempo di discesa 45ns | ||
Tipo di driver Impieghi generici | ||
Numero di uscite 4 | ||
Tempo di salita 55ns | ||
Tensione minima di alimentazione 5.5V | ||
Tensione massima di alimentazione 5.5V | ||
Numero driver 1 | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 6.4 mm | ||
Lunghezza 7.5mm | ||
Serie 1EDI3030AS | ||
Altezza 2.65mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
Infineon è dotata di driver gate ad alta tensione a canale singolo per uso automobilistico ottimizzato per MOSFET SiC. Il modello 1EDI3030AS utilizza una robusta tecnologia Infineon senza trasformatore per fornire il trasferimento del segnale bidirezionale attraverso la barriera di isolamento galvanico. Il design compatto del contenitore e l'elevato livello di integrazione delle funzioni consentono di risparmiare prezioso spazio su circuito stampato e costi di sistema, mentre le impostazioni preconfigurate riducono gli sforzi di progettazione.
Per MOSFET SiC fino a 1200 V.
Ritardo di propagazione 60 ns tipico
Protezione OCP e DESAT ridondante
Monitoraggio stadio di uscita e gate
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