Infineon Gate driver 1ED3122MC12HXUMA1 MOSFET, 9 A 2, DSO, 8 Pin 17V

Questo gate driver è un driver MOSFET a doppio canale progettato per tradurre il controllo a livello logico in uscite ad alta corrente per applicazioni di commutazione. Funziona su un intervallo di alimentazione da basso a moderato ed è fornito in un contenitore DSO a montaggio superficiale adatto per assemblaggi elettronici compatti. Il dispositivo è progettato per ambienti che richiedono una velocità di commutazione controllata e una resistenza termica affidabile in un intervallo di temperatura d'esercizio esteso.

• La corrente di uscita di 9 A fornisce un forte azionamento per i gate MOSFET di potenza
• L'alimentazione minima di 3,1 V consente il funzionamento da guide logiche a bassa tensione
• L'alimentazione massima di 17 V supporta diversi requisiti di tensione di gate
• i tempi di salita e discesa di 30 ns riducono le perdite di commutazione e la distorsione
• Le uscite doppie consentono il controllo del gate indipendente o complementare
• Il pacchetto a montaggio superficiale a 8 pin facilita l'assemblaggio automatizzato del circuito stampato

• Adatto per le implementazioni dello stadio gate dell'azionamento del motore
• Ideale per i circuiti di azionamento MOSFET del convertitore CC-CC
• Utilizzato con stadi di potenza a mezzo ponte e a ponte completo
• Può essere utilizzato per moduli di commutazione industriali che operano in un ampio intervallo di temperatura
• Utilizzato per l'elettronica di potenza compatta in cui lo spazio sulla scheda è limitato

È classificato per funzionare tra -40 °C e 125 °C, fornendo una capacità termica estesa.

Il componente è fornito in un contenitore DSO con una larghezza di 6,4 mm, una lunghezza di 7,5 mm e un'altezza di 2,65 mm.

Il dispositivo contiene due uscite che consentono disposizioni di pilotaggio del gate a doppio canale.

È progettato per il montaggio superficiale su gruppi di circuiti stampati.