onsemi AEC-Q100 MOSFET NCD57090FDWR2G MOSFET, 6.5 A 1, SOIC, 8 Pin 22 V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
233-6803
Codice costruttore:
NCD57090FDWR2G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Corrente di uscita

6.5A

Numero pin

8

Tipo di package

SOIC

Tempo di discesa

13ns

Numero di uscite

5

Tipo di driver

MOSFET

Tensione minima di alimentazione

22V

Numero driver

1

Tensione massima di alimentazione

22V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Lunghezza

5mm

Serie

NCD57090

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4 mm

Altezza

1.75mm

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

AEC-Q100

on Semiconductor NCD57090FDWR2G è un gate driver IGBT/MOSFET a canale singolo ad alta corrente di 5−con isolamento galvanico interno di 5 kVrms, progettato per un'elevata efficienza del sistema e affidabilità in applicazioni ad alta potenza. I dispositivi accettano ingressi complementari e, a seconda della configurazione dei pin, offrono opzioni come il morsetto attivo Miller per la massima praticità di progettazione del sistema. È dotato di una bassa caduta di tensione del morsetto che elimina la necessità di un alimentatore negativo per evitare l'accensione di gate spurie−. Il driver può ospitare un'ampia gamma di tensioni di polarizzazione in ingresso e livelli di segnale da 3,3 V a 20 V e sono disponibili in un contenitore SOIC−8 con corpo ampio−.

Ha un'elevata corrente di uscita di Peak (+6,5 A/−6,5 A)

Fornisce brevi ritardi di propagazione con accoppiamento preciso

Offre il bloccaggio del gate IGBT/MOSFET durante il cortocircuito

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