onsemi AEC-Q100 Modulo IGBT NCD57090BDWR2G IGBT, 6.5 A, SOIC, 8 Pin 22 V

Visualizza Gate driver
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

15,26 €

(IVA esclusa)

18,615 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 1990 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 453,052 €15,26 €
50 - 952,63 €13,15 €
100 +2,282 €11,41 €

*prezzo indicativo

Packaging Options:
Codice RS:
221-6598
Codice costruttore:
NCD57090BDWR2G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Corrente di uscita

6.5A

Numero pin

8

Tempo di discesa

13ns

Tipo di package

SOIC

Numero di uscite

5

Tipo di driver

IGBT

Tempo di salita

13ns

Tensione minima di alimentazione

22V

Tensione massima di alimentazione

22V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Serie

NCD57090

Larghezza

4 mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.75mm

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

AEC-Q100

I modelli NCD57090 on Semiconductor sono gate driver IGBT/MOSFET a canale singolo con corrente elevata di 5−con isolamento galvanico interno di 5 kVrms, progettati per un'elevata efficienza del sistema e affidabilità in applicazioni ad alta potenza. Il dispositivo accetta ingresso complementare e, a seconda della configurazione dei pin, offre opzioni come morsetto attivo Miller, alimentatore negativo e uscita driver alta e bassa separata per la massima praticità di progettazione del sistema.

Elevata immunità ai transienti

Elevata immunità elettromagnetica

Brevi ritardi di propagazione con accoppiamento preciso

Link consigliati