onsemi AEC-Q100 Modulo IGBT NCD57090EDWR2G IGBT, 6.5 A, SOIC, 8 Pin 20 V

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Packaging Options:
Codice RS:
230-9048
Codice costruttore:
NCD57090EDWR2G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Corrente di uscita

6.5A

Numero pin

8

Tipo di package

SOIC

Tempo di discesa

13ns

Tipo di driver

IGBT

Numero di uscite

5

Tempo di salita

13ns

Tensione minima di alimentazione

20V

Tensione massima di alimentazione

20V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Lunghezza

5mm

Serie

NCD57090

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4 mm

Altezza

1.75mm

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

AEC-Q100

La serie NCD57090E on Semiconductor è costituita da gate driver IGBT a canale singolo con corrente elevata di 5−con isolamento galvanico interno di 5 kVrms, progettati per un'elevata efficienza del sistema e affidabilità in applicazioni ad alta potenza. I dispositivi accettano ingressi complementari e, a seconda della configurazione dei pin, offrono opzioni come il morsetto attivo Miller (NCD57090E). Il modello NCD57090E può ospitare un'ampia gamma di tensioni di polarizzazione in ingresso e livelli di segnale da 3,3 V a 20 V.

Migliora l'efficienza del sistema

Brevi ritardi di propagazione con accoppiamento preciso

Migliora l'integrità del segnale PWM

Elevata immunità ai transienti e ai disturbi elettromagnetici

Robustezza in applicazioni di commutazione ad alta tensione e corrente elevata con velocità di risposta rapida

Isolamento galvanico on-chip da 5 kVrms

Consente di risparmiare sui costi e lo spazio sulla scheda offrendo al contempo prestazioni migliori rispetto ai driver ottici

Ampia gamma di tensioni di polarizzazione e gamma di tensioni di ingresso

Offre flessibilità di progettazione del sistema e consente l'uso di guide di tensione di sistema comunemente disponibili

Morsetto Miller attivo o tensione gate negativa o uscite separate

Offre una scelta nella scelta della funzione giusta in un contenitore compatto

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