onsemi AEC-Q100 Modulo IGBT IGBT, 6.5 A 1, SOIC, 8 Pin 20 V

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

2657,50 €

(IVA esclusa)

3242,50 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 22 giugno 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +1,063 €2.657,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
221-6659
Codice costruttore:
NCV57080BDR2G
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo prodotto

Modulo IGBT

Corrente di uscita

6.5A

Numero pin

8

Tempo di discesa

13ns

Tipo di package

SOIC

Numero di uscite

5

Tipo di driver

IGBT

Tempo di salita

13ns

Tensione minima di alimentazione

22V

Tensione massima di alimentazione

20V

Numero driver

1

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.75mm

Serie

NCx57080y

Lunghezza

5mm

Larghezza

4 mm

Standard/Approvazioni

No

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

AEC-Q100

I modelli NCD57080B on Semiconductor sono gate driver IGBT a canale singolo con corrente elevata di−, con isolamento galvanico interno da 3,75 kVrms, progettati per un'elevata efficienza del sistema e affidabilità in applicazioni ad alta potenza. Il dispositivo accetta ingresso complementare e, a seconda della configurazione dei pin, offre opzioni come morsetto attivo Miller, alimentatore negativo e uscita driver alta e bassa separata per la massima praticità di progettazione del sistema.

Elevata immunità ai transienti

Elevata immunità elettromagnetica

Brevi ritardi di propagazione con accoppiamento preciso

Link consigliati