onsemi AEC-Q100 Modulo IGBT IGBT, 6.5 A, SOIC, 8 Pin 20 V
- RS Stock No.:
- 230-9047
- Mfr. Part No.:
- NCD57090EDWR2G
- Brand:
- onsemi
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- onsemi
Specifications
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | Modulo IGBT | |
| Corrente di uscita | 6.5A | |
| Numero pin | 8 | |
| Tipo di package | SOIC | |
| Tempo di discesa | 13ns | |
| Numero di uscite | 5 | |
| Tipo di driver | IGBT | |
| Tempo di salita | 13ns | |
| Tensione minima di alimentazione | 20V | |
| Tensione massima di alimentazione | 20V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Larghezza | 4 mm | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Serie | NCD57090 | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Standard automobilistico | AEC-Q100 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto Modulo IGBT | ||
Corrente di uscita 6.5A | ||
Numero pin 8 | ||
Tipo di package SOIC | ||
Tempo di discesa 13ns | ||
Numero di uscite 5 | ||
Tipo di driver IGBT | ||
Tempo di salita 13ns | ||
Tensione minima di alimentazione 20V | ||
Tensione massima di alimentazione 20V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Larghezza 4 mm | ||
Lunghezza 5mm | ||
Serie NCD57090 | ||
Altezza 1.75mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Standard automobilistico AEC-Q100 | ||
La serie NCD57090E on Semiconductor è costituita da gate driver IGBT a canale singolo con corrente elevata di 5−con isolamento galvanico interno di 5 kVrms, progettati per un'elevata efficienza del sistema e affidabilità in applicazioni ad alta potenza. I dispositivi accettano ingressi complementari e, a seconda della configurazione dei pin, offrono opzioni come il morsetto attivo Miller (NCD57090E). Il modello NCD57090E può ospitare un'ampia gamma di tensioni di polarizzazione in ingresso e livelli di segnale da 3,3 V a 20 V.
Migliora l'efficienza del sistema
Brevi ritardi di propagazione con accoppiamento preciso
Migliora l'integrità del segnale PWM
Elevata immunità ai transienti e ai disturbi elettromagnetici
Robustezza in applicazioni di commutazione ad alta tensione e corrente elevata con velocità di risposta rapida
Isolamento galvanico on-chip da 5 kVrms
Consente di risparmiare sui costi e lo spazio sulla scheda offrendo al contempo prestazioni migliori rispetto ai driver ottici
Ampia gamma di tensioni di polarizzazione e gamma di tensioni di ingresso
Offre flessibilità di progettazione del sistema e consente l'uso di guide di tensione di sistema comunemente disponibili
Morsetto Miller attivo o tensione gate negativa o uscite separate
Offre una scelta nella scelta della funzione giusta in un contenitore compatto
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