Driver gate MOSFET NCP51100ASNT1G, 6,5 A, 11 → 18V, SOT23-5, 5-Pin

Il modello NCP51100ASNT1G on Semiconductor è un gate driver Da 2 A progettato per pilotare un MOSFET a modalità potenziata a canale N in applicazioni di commutazione low-side da −fornendo impulsi di corrente di Peak elevata durante brevi intervalli di commutazione. Il driver è disponibile con soglie di ingresso TTL. I circuiti interni forniscono una funzione di blocco di sicurezza contro sottotensione−mantenendo bassa l'uscita fino a quando la tensione di alimentazione non rientra nella gamma di funzionamento. Il modello NCP51100 offre elevate prestazioni di commutazione MOSFET, che contribuisce a ottimizzare l'efficienza nei progetti di convertitori di potenza ad alta frequenza.

È dotato di una gamma di tensione d'esercizio da 11 V a 18 V.
Offre un Peak sink/source Da 3 A con VDD di 12 V.
Offre un sink da 2,5 A / source da 1,8 A con VOUT di 6 V.
È dotato di 14 ns / 7 ns di tempi di salita/discesa tipici (carico 1 NF)