Driver gate MOSFET STGAP2SICSNCTR, CMOS, TTL, 4 A, 3.1V, SO8, 8-Pin

Il dispositivo STMicroelectronics STGAP2SICSN è un driver a gate singolo che fornisce isolamento galvanico tra il canale di pilotaggio gate e il controllo a bassa tensione e i circuiti di interfaccia. Il driver gate è caratterizzato da una capacità di 4 A e uscite rail-to-rail, il che rende il dispositivo adatto anche per applicazioni a media e alta potenza, come ad esempio la conversione di potenza e inverter per azionamenti per motori in applicazioni industriali. Il dispositivo è disponibile in due diverse configurazioni. La configurazione con pin di uscita separati consente di ottimizzare in modo indipendente l'accensione e lo spegnimento utilizzando resistenze gate dedicate. La configurazione con pin di uscita singola e la funzione DI MORSETTO Miller evita i picchi di gate durante le commutazioni rapide in topologie half-bridge. Entrambe le configurazioni offrono un'elevata flessibilità e riduzione della distinta dei materiali per i componenti esterni.

Ritardo di propagazione ingresso-uscita totale: 75 ns
Opzione sink/source separata per una facile configurazione dell'azionamento gate
Opzione con pin dedicato CON MORSETTO Miller Da 4 A.
Funzione UVLO
Protezione contro lo spegnimento a temperatura
Funzione di standby
Isolamento 4,8 kVPK
Corpo stretto SO-8

Il dispositivo integra funzioni di protezione: UVLO con valore ottimizzato per MOSFET SiC e lo spegnimento termico sono inclusi per progettare facilmente sistemi ad alta affidabilità. I pin di ingresso doppio consentono di scegliere la polarità del segnale di controllo e implementare anche la protezione di interblocco HW per evitare la conduzione incrociata in caso di malfunzionamento del controller. I risultati del ritardo di propagazione da ingresso a uscita sono contenuti in 75 ns, fornendo un'elevata precisione di controllo PWM. È disponibile una modalità standby per ridurre il consumo energetico in stato di inattività.