Driver gate MOSFET 1ED3321MC12NXUMA1, CMOS, 8,5 A, 3.3 → 5V, PG-DSO-16, 16-Pin

Driver gate isolato a canale singolo da 8,5 A, 5,7 kV rms Infineon con protezione contro i cortocircuiti, morsetto Miller attivo e soft-off, certificazione UL 1577 e VDE 0884-11. Driver gate isolato a canale singolo potenziato EiceDRIVERTM con corrente di uscita di picco di sorgente e dissipazione tipica da +6 A a -8,5 A in un contenitore corpo largo DSO-16 con dispersione di 8 mm per IGBT, MOSFET e MOSFET SiC.1ED3321MC12N appartiene alla famiglia EiceDRIVERTM Enhanced 1ED332x F3. 1ED3321 offre protezione da cortocircuiti DESAT per IGBT e MOSFET SiC. L'IC driver implementa uscite separate sorgente e sink, funziona su un'ampia gamma di tensioni di alimentazione, unipolari o bipolari, e presenta un ritardo di propagazione da parte a parte.

Driver di gate CT a singolo canale isolato galvanicamente con trasformatore senza nucleo
Caratteristiche di protezione integrate, come la protezione da cortocircuito DESAT, il softoff, il morsetto attivo Miller e lo spegnimento attivo
Utilizzabile con IGBT da 600 V, 650 V, 1200 V, 1700 V, 2300 V, MOSFET Si e SiC
Corrente di uscita di picco tipica fino a +6 A a -85 A
Tensione di alimentazione in uscita massima assoluta di 40 V VCC2
L'alta immunità ai transienti di modo comune CMTI è maggiore di 300 kV/μs
Ritardo di propagazione breve di 85 ns
Stretta corrispondenza del ritardo di propagazione IC-to-IC 15 ns max
Tensione di alimentazione in ingresso di 33 V e 5 V V VCC1