Infineon No MOSFET 1ED3321MC12NXUMA1 MOSFET, 8.5 A, PG-DSO-16, 16 Pin 5 V
- Codice RS:
- 240-6368
- Codice costruttore:
- 1ED3321MC12NXUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
3,29 €
(IVA esclusa)
4,01 €
(IVA inclusa)
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,29 € |
| 10 - 24 | 3,12 € |
| 25 - 49 | 3,06 € |
| 50 - 99 | 2,85 € |
| 100 + | 2,67 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 240-6368
- Codice costruttore:
- 1ED3321MC12NXUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Corrente di uscita | 8.5A | |
| Numero pin | 16 | |
| Tempo di discesa | 20ns | |
| Tipo di package | PG-DSO-16 | |
| Tipo di driver | MOSFET | |
| Tensione minima di alimentazione | 3.3V | |
| Tensione massima di alimentazione | 5V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Serie | 1ED3321 | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Corrente di uscita 8.5A | ||
Numero pin 16 | ||
Tempo di discesa 20ns | ||
Tipo di package PG-DSO-16 | ||
Tipo di driver MOSFET | ||
Tensione minima di alimentazione 3.3V | ||
Tensione massima di alimentazione 5V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Serie 1ED3321 | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Driver gate isolato a canale singolo da 8,5 A, 5,7 kV rms Infineon con protezione contro i cortocircuiti, morsetto Miller attivo e soft-off, certificazione UL 1577 e VDE 0884-11. Driver gate isolato a canale singolo potenziato EiceDRIVERTM con corrente di uscita di picco di sorgente e dissipazione tipica da +6 A a -8,5 A in un contenitore corpo largo DSO-16 con dispersione di 8 mm per IGBT, MOSFET e MOSFET SiC.1ED3321MC12N appartiene alla famiglia EiceDRIVERTM Enhanced 1ED332x F3. 1ED3321 offre protezione da cortocircuiti DESAT per IGBT e MOSFET SiC. L'IC driver implementa uscite separate sorgente e sink, funziona su un'ampia gamma di tensioni di alimentazione, unipolari o bipolari, e presenta un ritardo di propagazione da parte a parte.
Driver di gate CT a singolo canale isolato galvanicamente con trasformatore senza nucleo
Caratteristiche di protezione integrate, come la protezione da cortocircuito DESAT, il softoff, il morsetto attivo Miller e lo spegnimento attivo
Utilizzabile con IGBT da 600 V, 650 V, 1200 V, 1700 V, 2300 V, MOSFET Si e SiC
Corrente di uscita di picco tipica fino a +6 A a -85 A
Tensione di alimentazione in uscita massima assoluta di 40 V VCC2
L'alta immunità ai transienti di modo comune CMTI è maggiore di 300 kV/μs
Ritardo di propagazione breve di 85 ns
Stretta corrispondenza del ritardo di propagazione IC-to-IC 15 ns max
Tensione di alimentazione in ingresso di 33 V e 5 V V VCC1
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