Infineon No MOSFET MOSFET, 8.5 A, PG-DSO-16, 16 Pin 5 V

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Codice RS:
240-6369
Codice costruttore:
1ED3322MC12NXUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Corrente di uscita

8.5A

Numero pin

16

Tempo di discesa

20ns

Tipo di package

PG-DSO-16

Tipo di driver

MOSFET

Tensione minima di alimentazione

3.3V

Tensione massima di alimentazione

5V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Driver gate isolato a canale singolo da 8,5 A, 5,7 kV rms Infineon con protezione contro i cortocircuiti, morsetto Miller attivo e soft-off, certificazione UL 1577 e VDE 0884-11. Driver gate isolato a canale singolo potenziato EiceDRIVERTM con corrente di uscita di picco di sorgente e dissipazione tipica da +6 A a -8,5 A in un contenitore corpo largo DSO-16 con dispersione di 8 mm per IGBT, MOSFET e MOSFET SiC.1ED3321MC12N appartiene alla famiglia EiceDRIVERTM Enhanced 1ED332x F3. 1ED3321 offre protezione da cortocircuiti DESAT per IGBT e MOSFET SiC. L'IC driver implementa uscite separate sorgente e sink, funziona su un'ampia gamma di tensioni di alimentazione, unipolari o bipolari, e presenta un ritardo di propagazione da parte a parte.

Driver di gate CT a singolo canale isolato galvanicamente con trasformatore senza nucleo

Caratteristiche di protezione integrate, come la protezione da cortocircuito DESAT, il softoff, il morsetto attivo Miller e lo spegnimento attivo

Utilizzabile con IGBT da 600 V, 650 V, 1200 V, 1700 V, 2300 V, MOSFET Si e SiC

Corrente di uscita di picco tipica fino a +6 A a -85 A

Tensione di alimentazione in uscita massima assoluta di 40 V VCC2

L'alta immunità ai transienti di modo comune CMTI è maggiore di 300 kV/μs

Ritardo di propagazione breve di 85 ns

Stretta corrispondenza del ritardo di propagazione IC-to-IC 15 ns max

Tensione di alimentazione in ingresso di 33 V e 5 V V VCC1

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