Driver gate MOSFET 1EDN7126GXTMA1, 1,5 A, 11V, PG-VSON-10, 11-Pin

Infineon EiceDRIVER™ 1EDN7112G un IC gate driver a canale singolo ottimizzato per la compatibilità con HEMT CoolGaN™, è inoltre compatibile con altri GaN HEMT di schottky gate (SG) e MOSFET in silicio. Grazie al vero ingresso differenziale (TDI), lo stato di uscita del driver gate è controllato esclusivamente dalla differenza di tensione tra i due ingressi, completamente indipendente dal potenziale di riferimento del driver (massa) purché la tensione di modo comune è inferiore a 150 V (statica) e 200 V (dinamica). In questo modo si elimina il rischio di false attivazioni dovute al rimbalzo di massa nelle applicazioni low-side, consentendo al dispositivo 1EDN7112G di affrontare anche le applicazioni high-side.

Evitare la falsa attivazione nel funzionamento low-side o high-side
Elevata gamma di tensioni di ingresso in modalità comune per il funzionamento
Funzionamento affidabile durante la commutazione rapida dei transienti
Compatibile con logica di ingresso da 3,3 V o 5 V
Morsetto Miller attivo con capacità di dissipazione da 5 A per evitare l'accensione indotta
Pompa di carica regolabile per la tensione di alimentazione allo spegnimento negativa
Adatto per l'azionamento di HEMT GaN o MOSFET Si
Qualificato in conformità a JEDEC per le applicazioni target