Infineon No MOSFET 1EDF5673FXUMA1 MOSFET, 8 A 1, DSO, 16 Pin 3.5 V

View all Gate driver
Bulk discount available

Subtotal (1 pack of 5 units)*

7,79 €

(exc. VAT)

9,505 €

(inc. VAT)

Add to Basket
Select or type quantity
In magazzino
  • Più 2495 unità in spedizione dal 15 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Units
Per unit
Per Pack*
5 - 201,558 €7,79 €
25 - 451,356 €6,78 €
50 - 1201,318 €6,59 €
125 - 2451,284 €6,42 €
250 +1,25 €6,25 €

*price indicative

Packaging Options:
RS Stock No.:
222-4759
Mfr. Part No.:
1EDF5673FXUMA1
Brand:
Infineon
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Corrente di uscita

8A

Numero pin

16

Tempo di discesa

4.5ns

Tipo di package

DSO

Tipo di driver

MOSFET

Numero di uscite

2

Tempo di salita

6.5ns

Tensione minima di alimentazione

4V

Numero driver

1

Tensione massima di alimentazione

3.5V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Serie

1EDF5673F

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

7.5 mm

Altezza

2.35mm

Lunghezza

10.3mm

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

No

Il driver gate IC 1EDF5673F con isolamento galvanico a canale singolo Infineon è perfetto per HEMT in nitruro di gallio (GAN) in modalità potenziata (e-mode) con gate non isolato (caratteristica di ingresso diodo) e bassa tensione di soglia, come CoolGaN™. Assicura un funzionamento del GAN switch ad alta tensione robusto ed estremamente efficiente, riducendo al contempo gli sforzi di ricerca e sviluppo e i tempi di commercializzazione.

Uscite ohmiche basse

Isolamento galvanico a canale singolo

Isolamento galvanico integrato

Related links