Infineon No MOSFET 1EDF5673FXUMA1 MOSFET, 8 A 1, DSO, 16 Pin 3.5 V

Visualizza Gate driver
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

7,79 €

(IVA esclusa)

9,505 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 2495 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 201,558 €7,79 €
25 - 451,356 €6,78 €
50 - 1201,318 €6,59 €
125 - 2451,284 €6,42 €
250 +1,25 €6,25 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4759
Codice costruttore:
1EDF5673FXUMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Corrente di uscita

8A

Numero pin

16

Tipo di package

DSO

Tempo di discesa

4.5ns

Numero di uscite

2

Tipo di driver

MOSFET

Tempo di salita

6.5ns

Tensione minima di alimentazione

4V

Numero driver

1

Tensione massima di alimentazione

3.5V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

7.5 mm

Serie

1EDF5673F

Altezza

2.35mm

Lunghezza

10.3mm

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

No

Il driver gate IC 1EDF5673F con isolamento galvanico a canale singolo Infineon è perfetto per HEMT in nitruro di gallio (GAN) in modalità potenziata (e-mode) con gate non isolato (caratteristica di ingresso diodo) e bassa tensione di soglia, come CoolGaN™. Assicura un funzionamento del GAN switch ad alta tensione robusto ed estremamente efficiente, riducendo al contempo gli sforzi di ricerca e sviluppo e i tempi di commercializzazione.

Uscite ohmiche basse

Isolamento galvanico a canale singolo

Isolamento galvanico integrato

Link consigliati