Infineon MOSFET 1EDF5673FXUMA1 MOSFET, 8 A 1, DSO, 16 Pin 3.5 V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4759
Codice costruttore:
1EDF5673FXUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Corrente di uscita

8A

Numero pin

16

Tempo di discesa

4.5ns

Tipo di package

DSO

Tipo di driver

MOSFET

Numero di uscite

2

Tempo di salita

6.5ns

Tensione minima di alimentazione

4V

Numero driver

1

Tensione massima di alimentazione

3.5V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Lunghezza

10.3mm

Larghezza

7.5 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.35mm

Serie

1EDF5673F

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

No

Il driver gate IC 1EDF5673F con isolamento galvanico a canale singolo Infineon è perfetto per HEMT in nitruro di gallio (GAN) in modalità potenziata (e-mode) con gate non isolato (caratteristica di ingresso diodo) e bassa tensione di soglia, come CoolGaN™. Assicura un funzionamento del GAN switch ad alta tensione robusto ed estremamente efficiente, riducendo al contempo gli sforzi di ricerca e sviluppo e i tempi di commercializzazione.

Uscite ohmiche basse

Isolamento galvanico a canale singolo

Isolamento galvanico integrato

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