Infineon MOSFET 1EDS5663HXUMA1 MOSFET, 8 A 1, DSO, 16 Pin 3.5 V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4771
Codice costruttore:
1EDS5663HXUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Corrente di uscita

8A

Numero pin

16

Tipo di package

DSO

Tempo di discesa

4.5ns

Tipo di driver

MOSFET

Numero di uscite

2

Tempo di salita

6.5ns

Tensione minima di alimentazione

4V

Tensione massima di alimentazione

3.5V

Numero driver

1

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Lunghezza

10.3mm

Serie

1EDS5663H

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

7.5 mm

Altezza

2.35mm

Tipo montaggio

Superficie

Standard automobilistico

No

Il nuovo driver gate IC a canale singolo con isolamento galvanico Infineon componente 1EDS5663H è perfetto per gli HEMT in nitruro di gallio (GAN) in modalità potenziata (e-mode) con gate non isolato (caratteristica di ingresso diodo) e bassa tensione di soglia, come CoolGaN™. Assicura un funzionamento del GAN switch ad alta tensione robusto ed estremamente efficiente, riducendo al contempo gli sforzi di ricerca e sviluppo e i tempi di commercializzazione.

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