Infineon Gate driver 2ED2108S06FXUMA1, -414.2 mA 2, DSO-8, 8 Pin 25V

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
244-0871
Codice costruttore:
2ED2108S06FXUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

Gate driver

Corrente di uscita

-414.2mA

Numero pin

8

Tempo di discesa

80ns

Tipo di package

DSO-8

Tempo di salita

200ns

Tensione minima di alimentazione

650V

Numero driver

2

Tensione massima di alimentazione

25V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Serie

2ED2108S6F

Standard automobilistico

No

Il driver gate half-bridge da 650 V Infineon con diodo bootstrap integrato è dotato dell'esclusiva tecnologia Infineon Thin-Film-Silicon on Insulator (SOI) e della funzione di interblocco con tempo morto interno di 540 ns e programmabile fino a 5 us con resistenza esterna. I pin ad alta e bassa tensione sono separati per il massimo creepage e clearance (versione 2ED21084S06J) e sono dotati di logica e messa a terra di alimentazione separate con la versione 2ED21084S06J.

Immunità ai transitori VS negativi di 100 V

Canale flottante progettato per il funzionamento in bootstrap

Diodo bootstrap ultraveloce e a bassa resistenza integrato

Ingressi di attivazione Schmitt con isteresi

Opzioni di contenitore doppio di DSO-8 e DSO-14

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