- Codice RS:
- 258-0612
- Codice costruttore:
- 2ED2184S06FXUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per Unità (Su Bobina da 2500)
0,984 €
(IVA esclusa)
1,20 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per bobina* |
---|---|---|
2500 + | 0,984 € | 2.460,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-0612
- Codice costruttore:
- 2ED2184S06FXUMA1
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Il driver gate a corrente elevata e ad alta velocità a mezzo ponte da 650 V Infineon per MOSFET e IGBT, con corrente di dissipazione e sorgente da 2,5 A in contenitore DSO-8. Basato sulla tecnologia SOI Infineon, con un'eccellente robustezza e immunità al rumore contro le tensioni transitorie negative sul pin VS. Nessuna struttura a tiristore parassita è presente nel dispositivo, pertanto nessun blocco parassita in tutte le condizioni di temperatura e tensione.
Immunità ai transienti VS negativa di 100 V
Diodo bootstrap integrato ultrarapido a bassa resistenza, per ridurre il costo BOM
Canale flottante progettato per il funzionamento con bootstrap
Protezione a scatto integrata con tempo morto incorporato (400 ns)
Tensione di alimentazione massima di 25 V
Perdite di spostamento di livello inferiori del 50%
Diodo bootstrap integrato ultrarapido a bassa resistenza, per ridurre il costo BOM
Canale flottante progettato per il funzionamento con bootstrap
Protezione a scatto integrata con tempo morto incorporato (400 ns)
Tensione di alimentazione massima di 25 V
Perdite di spostamento di livello inferiori del 50%
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Logic Type | CMOS, LSTTL |
Corrente di uscita | 2,5 A |
Tensione di alimentazione | 10 → 20V |
Tempo di discesa | 15ns |
Tipo di package | DSO |
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