onsemi No MOSFET MOSFET, 6.5 A, SOIC, 16 Pin 5 V

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Codice RS:
244-9157
Codice costruttore:
NCP51561DADWR2G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Corrente di uscita

6.5A

Numero pin

16

Tempo di discesa

16ns

Tipo di package

SOIC

Tipo di driver

MOSFET

Tempo di salita

19ns

Tensione minima di alimentazione

5V

Tensione massima di alimentazione

5V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Serie

NCP51

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il driver gate IGBT/MOSFET a corrente elevata isolato on Semiconductor è un canale singolo ad alta corrente da−. Gate driver IGBT/MOSFET con isolamento galvanico interno di 5 kVrms, progettati per un'elevata efficienza del sistema e affidabilità in applicazioni ad alta potenza. I dispositivi accettano ingressi complementari e, a seconda della configurazione dei pin, offrono opzioni come morsetto attivo Miller (versione A/D/F), alimentatore negativo (versione B) e uscite driver separate alto e basso (OUTL e OUTL) (versione C/e) per la massima praticità di progettazione del sistema. Il driver può ospitare un'ampia gamma di tensioni di polarizzazione in ingresso e livelli di segnale da 3,3 V 20V a 6 V e sono disponibili in un contenitore SOIC−8 con corpo ampio−.

Corrente di uscita Peak elevata (+6,5 A/−6,5 A)

La bassa caduta di tensione del morsetto elimina la necessità di un alimentatore negativo per evitare l'accensione spuria del gate−(versione A/D/F)

Brevi ritardi di propagazione con accoppiamento preciso

IGBT/MOSFET, bloccaggio del gate in caso di cortocircuito

Pull down attivo IGBT/MOSFET Gate

Soglie UVLO strette per una maggiore flessibilità di polarizzazione

Ampia gamma di tensione di polarizzazione, tra cui VEE2 negativo (versione B)

Ingresso logico da 3,3 V, 5 V e 15 V.

Isolamento galvanico da 5 kVrms

Elevata immunità transitoria

Elevata immunità ai disturbi elettromagnetici

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