onsemi No MOSFET NCV57091BDWR2G MOSFET, 6.5 A, SOIC, 8 Pin 22 V

I driver gate on Semiconductor sono driver gate a canale doppio isolato da−−con 4,5−A/9 di corrente di Peak source e sink rispettivamente. Sono progettati per la commutazione rapida per azionare MOSFET di potenza e interruttori di potenza MOSFET SiC. Il modello NCP51561 offre ritardi di propagazione brevi e abbinati. Due indipendenti e isolamento galvanico interno di 5 kVrms dall'ingresso a ciascuna uscita e isolamento funzionale interno tra i due driver di uscita consente una tensione di esercizio fino a 1500 V c.c. Questo driver può essere utilizzato in qualsiasi configurazione possibile di due interruttori lato basso, due interruttori lato alto−o un driver ponte a mezzo−con tempo morto programmabile. Un pin ENA/DIS spegne entrambe le uscite contemporaneamente quando è impostato un valore basso o alto per la modalità DI ABILITAZIONE o DISABILITAZIONE, rispettivamente. Il modello NCP51561 offre altre importanti funzioni di protezione, come ad esempio blocco di sicurezza indipendente contro sottotensione e tensione di−per driver gate e funzione di regolazione del tempo di inattività.

Sorgente di Peak Source 4,5 A, capacità di corrente di uscita Peak sink 9 A.