Infineon MOSFET 2ED4820EMXUMA2 MOSFET, 4 mA, TSDSO-24, 24 Pin 70 V

Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 unità*

6,29 €

(IVA esclusa)

7,67 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 2897 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
1 - 96,29 €
10 - 245,98 €
25 - 495,72 €
50 - 995,47 €
100 +5,10 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
248-3067
Codice costruttore:
2ED4820EMXUMA2
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Corrente di uscita

4mA

Numero pin

24

Tipo di package

TSDSO-24

Tipo di driver

MOSFET

Tensione minima di alimentazione

20V

Tensione massima di alimentazione

70V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon 2ED4820-EM è un driver gate progettato per applicazioni automobilistiche a corrente elevata da 48 V, con potenti uscite del gate per azionare molti MOSFET in parallelo al fine di ridurre al minimo le perdite di conduzione. Supporta la configurazione back-to-back, sia le strutture a sorgente comune che quelle a drain comune, grazie alle due uscite del gate. Nella configurazione a sorgente comune, è possibile utilizzare un'uscita del gate per precaricare carichi altamente capacitivi. Il 2ED4820-EM genera l'alimentazione per le uscite del gate basate su una pompa di carica monostadio integrata con pompa esterna e condensatori del serbatoio. Inoltre, viene fornito con un'interfaccia SPI, per una facile configurazione, diagnostica e controllo.

Ampio intervallo di tensione di alimentazione da 20 a 70 V e due uscite driver gate indipendenti high-side

Pull down 1 A, pull up 0,3 A per spegnimento/accensione rapidi

Controllo, configurazione e diagnostica del dispositivo tramite SPI

Bassa corrente di alimentazione in modalità sleep IBAT_Q < 5 μA

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.