Infineon No MOSFET 2ED4820EMXUMA2 MOSFET, 4 mA, TSDSO-24, 24 Pin 70 V
- RS Stock No.:
- 248-3067
- Mfr. Part No.:
- 2ED4820EMXUMA2
- Brand:
- Infineon
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- Mfr. Part No.:
- 2ED4820EMXUMA2
- Brand:
- Infineon
Specifications
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Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Corrente di uscita | 4mA | |
| Numero pin | 24 | |
| Tipo di package | TSDSO-24 | |
| Tipo di driver | MOSFET | |
| Tensione minima di alimentazione | 20V | |
| Tensione massima di alimentazione | 70V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Select all | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Corrente di uscita 4mA | ||
Numero pin 24 | ||
Tipo di package TSDSO-24 | ||
Tipo di driver MOSFET | ||
Tensione minima di alimentazione 20V | ||
Tensione massima di alimentazione 70V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Infineon 2ED4820-EM è un driver gate progettato per applicazioni automobilistiche a corrente elevata da 48 V, con potenti uscite del gate per azionare molti MOSFET in parallelo al fine di ridurre al minimo le perdite di conduzione. Supporta la configurazione back-to-back, sia le strutture a sorgente comune che quelle a drain comune, grazie alle due uscite del gate. Nella configurazione a sorgente comune, è possibile utilizzare un'uscita del gate per precaricare carichi altamente capacitivi. Il 2ED4820-EM genera l'alimentazione per le uscite del gate basate su una pompa di carica monostadio integrata con pompa esterna e condensatori del serbatoio. Inoltre, viene fornito con un'interfaccia SPI, per una facile configurazione, diagnostica e controllo.
Ampio intervallo di tensione di alimentazione da 20 a 70 V e due uscite driver gate indipendenti high-side
Pull down 1 A, pull up 0,3 A per spegnimento/accensione rapidi
Controllo, configurazione e diagnostica del dispositivo tramite SPI
Bassa corrente di alimentazione in modalità sleep IBAT_Q < 5 μA
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