MOSFET Infineon, canale N 25 V, 0.75 mΩ Miglioramento, 310 A, 24 Pin, TSDSO, Superficie IQE006NE2LM5CGSCATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
260-1073
Codice costruttore:
IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

310A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

TSDSO

Serie

IQE

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

24

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.75mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

+150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie IQE, tensione massima drain-source 25 V, corrente di drenaggio continua massima 310 A - IQE006NE2LM5CGSCATMA1


Questo MOSFET è un transistor di potenziamento a canale N a montaggio superficiale progettato per la commutazione di potenza in ambienti difficili. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è adatto per applicazioni che richiedono un'elevata corrente continua e basse perdite di conduzione, pur essendo conforme ai limiti RoHS. Il dispositivo utilizza un pacchetto TSDSO a 24 pin ed è progettato per l'integrazione a livello di scheda compatta.

Caratteristiche e vantaggi:


• Rds(on) di 0,75 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento ad alta corrente
• La tensione diretta di 1 V riduce la dissipazione di potenza nei percorsi di conduzione
• La corrente di drenaggio continua di 310 A supporta le esigenze di commutazione per carichi pesanti
• L'intervallo di funzionamento da -55 °C a 150 °C consente l'uso a temperature estreme
• Il montaggio superficiale a 24 pin facilita l'assemblaggio di circuiti stampati ad alta densità

Applicazioni


• Adatto per stadi di convertitore CC-CC ad alta corrente
• Ideale per la distribuzione dell'alimentazione nell'elettronica industriale
• Utilizzato con le fasi di potenza dell'azionamento del motore che richiedono basse perdite
• Può essere utilizzato per moduli di commutazione di potenza a stato solido
• Adatto per progetti compatti a montaggio superficiale ad alta potenza

Quale contenitore utilizza per il montaggio su circuito stampato?


Viene fornito in un pacchetto TSDSO configurato per l'assemblaggio a montaggio superficiale.

In che modo il tipo di canale influisce sul comportamento di commutazione?


La modalità di potenziamento a canale N fornisce una bassa resistenza all'accensione e una conduzione efficiente quando viene azionata per il potenziamento.

Quali limiti ambientali definiscono la temperatura utilizzabile?


È progettato per funzionare da -55 °C a +150 °C per un'ampia gamma di condizioni termiche.

Quale restrizione normativa è rispettata per i materiali?


Il componente è conforme alla direttiva RoHS, che limita l'uso di alcune sostanze pericolose.

Quale tensione di drenaggio-sorgente non deve essere superata?


La tensione massima consentita di drenaggio e sorgente è di 25 V.

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