MOSFET Infineon, canale Tipo N Miglioramento, 24 Pin, DSO, Foro passante

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Codice RS:
262-5811
Codice costruttore:
6ED2231S12TXUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di package

DSO

Serie

EiceDRIVER

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

24

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.3W

Tensione diretta Vf

0.9V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

17.9mm

Altezza

2.65mm

Standard automobilistico

No

Il driver gate IGBT o MOSFET SiC ad alta tensione, alta velocità di potenza Infineon con tre canali di uscita indipendenti con riferimento lato alto e lato basso per applicazioni trifase.

Tecnologia SOI a film sottile Infineon

Diodo di bootstrap ultra rapido integrato

Progettato per canale flottante

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