MOSFET Infineon, canale Tipo N, Tipo P 30 V, 23.3 mΩ Miglioramento, 10.2 A, 8 Pin, PG-DSO-8, Superficie

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Codice RS:
348-906
Codice costruttore:
ISA150233C03LMDSXTMA
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N, Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

10.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

ISA

Tipo di package

PG-DSO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

23.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.2mm

Larghezza

5 mm

Standard/Approvazioni

IEC61249‐2‐21, JEDEC

Altezza

1.75mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
I transistor di potenza OptiMOS 3 Infineon, disponibili in configurazioni complementari a canale N e P, sono progettati per applicazioni di commutazione ad alta efficienza. Questi MOSFET sono caratterizzati da un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), che riduce al minimo le perdite di conduzione e migliora le prestazioni complessive del sistema. Inoltre, offrono una resistenza termica superiore, garantendo una migliore dissipazione del calore e una maggiore affidabilità nelle applicazioni più impegnative. Queste caratteristiche li rendono ideali per vari progetti di gestione della potenza e di efficienza energetica.

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Placcatura senza Pb e conforme a RoHS

Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21

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