MOSFET Infineon, canale Doppio N 40 V, 17 mΩ Miglioramento, 9.6 A, 8 Pin, PG-DSO-8, Superficie ISA170170N04LMDSXTMA1

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Codice RS:
348-912
Codice costruttore:
ISA170170N04LMDSXTMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Doppio N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PG-DSO-8

Serie

ISA

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

17mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

6nC

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

JEDEC Standard

Paese di origine:
CN
Il transistor di potenza OptiMOS 3 Infineon è un MOSFET a doppio canale N, a livello logico, progettato per applicazioni di potenza ad alte prestazioni. Il dispositivo presenta un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), che contribuisce a ridurre le perdite di conduzione e ad aumentare l'efficienza complessiva del sistema. Inoltre, il transistor offre una resistenza termica superiore, garantendo una migliore gestione del calore e affidabilità in condizioni difficili. Questa combinazione di caratteristiche lo rende ideale per le applicazioni che richiedono un'efficiente commutazione di potenza e prestazioni termiche.

Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga

Placcatura senza Pb e conforme a RoHS

Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21

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