MOSFET Infineon, canale Doppio N 40 V, 17 mΩ Miglioramento, 9.6 A, 8 Pin, PG-DSO-8, Superficie ISA170170N04LMDSXTMA1
- Codice RS:
- 348-912
- Codice costruttore:
- ISA170170N04LMDSXTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 20 unità*
18,56 €
(IVA esclusa)
22,64 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 3940 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,928 € | 18,56 € |
| 200 - 480 | 0,881 € | 17,62 € |
| 500 - 980 | 0,815 € | 16,30 € |
| 1000 - 1980 | 0,753 € | 15,06 € |
| 2000 + | 0,724 € | 14,48 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 348-912
- Codice costruttore:
- ISA170170N04LMDSXTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Doppio N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9.6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | PG-DSO-8 | |
| Serie | ISA | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 17mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6nC | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC Standard | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Doppio N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9.6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package PG-DSO-8 | ||
Serie ISA | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 17mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6nC | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni JEDEC Standard | ||
- Paese di origine:
- CN
Il transistor di potenza OptiMOS 3 Infineon è un MOSFET a doppio canale N, a livello logico, progettato per applicazioni di potenza ad alte prestazioni. Il dispositivo presenta un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), che contribuisce a ridurre le perdite di conduzione e ad aumentare l'efficienza complessiva del sistema. Inoltre, il transistor offre una resistenza termica superiore, garantendo una migliore gestione del calore e affidabilità in condizioni difficili. Questa combinazione di caratteristiche lo rende ideale per le applicazioni che richiedono un'efficiente commutazione di potenza e prestazioni termiche.
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga
Placcatura senza Pb e conforme a RoHS
Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21
Link consigliati
- MOSFET Infineon Tipo P 40 V 9.6 A PG-DSO-8, Superficie
- MOSFET Infineon -14.9 A PG-DSO-8, Superficie
- MOSFET Infineon -14.9 A PG-DSO-8, Superficie BSO080P03SHXUMA1
- MOSFET Infineon 8 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 8 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie BSO301SPHXUMA1
- Infineon Modulo Driver gate Driver gate PG-DSO-8, 8 Pin 17 V
- Infineon Modulo Driver gate Driver gate PG-DSO-8, 8 Pin 17 V
- Infineon Modulo Driver gate 1ED3124MU12HXUMA1 Driver gate PG-DSO-8, 8 Pin 17 V