MOSFET Infineon, canale Tipo P -30 V Miglioramento, -14.9 A, 8 Pin, PG-DSO-8, Superficie

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Codice RS:
273-5242
Codice costruttore:
BSO080P03SHXUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

-14.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-30V

Serie

BSO080P03S H OptiMOSTM-P

Tipo di package

PG-DSO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

-102nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-0.82V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

40 mm

Altezza

1.5mm

Lunghezza

40mm

Standard/Approvazioni

IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è un MOSFET di potenza a canale P. Questi prodotti soddisfano costantemente i più alti requisiti di qualità e prestazioni nelle specifiche chiave per la progettazione dei sistemi di alimentazione, come la resistenza allo stato e la figura di merito. Ha una temperatura d'esercizio di 150 gradi Celsius e è qualificato secondo JEDEC per le applicazioni target.

Livello logico

Senza alogeni

Conforme a RoHS

Placcatura senza piombo

Modalità di potenziamento

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