MOSFET Infineon, canale Tipo P 20 V, 12.9 mΩ Miglioramento, 14.9 A, 8 Pin, DSO, Superficie

Codice RS:: 165-5906
Codice costruttore:: BSO201SPHXUMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo P 20 V, 12.9 mΩ Miglioramento, 14.9 A, 8 Pin, DSO, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

1470,00 €

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Codice RS:: 165-5906
Codice costruttore:: BSO201SPHXUMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	14.9A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Serie	OptiMOS P
	Tipo di package	DSO
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	12.9mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	12V
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	2.5W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	66nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	4mm
	Altezza	1.65mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	5mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 14.9A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Serie OptiMOS P
	Tipo di package DSO
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 12.9mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12V
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 66nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 4mm
	Altezza 1.65mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 5mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET a canale di potenza P P Infineon OptiMOS™

I MOSFET di potenza a canale P Infineon OptiMOS™ sono progettati per offrire caratteristiche ottimizzate unite a prestazioni di qualità. Le caratteristiche includono perdita ultra-bassa di commutazione, resistenza in stato attivo e valori nominali dell'effetto valanga, oltre alla qualifica AEC per soluzioni nel settore automobilistico. Le applicazioni includono: CC-CC, controllo di motori, settore automobilistico ed eMobility.

Modalità potenziata

Classificazione Avalanche

Perdite di potenza a bassa conduzione e commutazione

Placcatura senza piombo; conformità Rohs

Contenitori standard

Serie a canale P OptiMOS™: gamma di temperatura da -55 °C a +175 °C

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

MOSFET Infineon, canale Tipo P 20 V, 12.9 mΩ Miglioramento, 14.9 A, 8 Pin, DSO, Superficie

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MOSFET a canale di potenza P P Infineon OptiMOS™

Transistor MOSFET, Infineon

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