MOSFET Infineon, canale Tipo N, Tipo P 40 V, 29.5 mΩ Miglioramento, 9.6 A, 8 Pin, PG-DSO-8, Superficie
- Codice RS:
- 348-909
- Codice costruttore:
- ISA170230C04LMDSXTMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 348-909
- Codice costruttore:
- ISA170230C04LMDSXTMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N, Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9.6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | PG-DSO-8 | |
| Serie | ISA | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 29.5mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.5W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.75mm | |
| Lunghezza | 6.2mm | |
| Standard/Approvazioni | JEDEC, IEC61249‐2‐21 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N, Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9.6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package PG-DSO-8 | ||
Serie ISA | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 29.5mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.5W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.75mm | ||
Lunghezza 6.2mm | ||
Standard/Approvazioni JEDEC, IEC61249‐2‐21 | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
I transistor di potenza OptiMOS 3 Infineon, disponibili in configurazioni complementari a canale N e P, sono progettati per applicazioni di commutazione ad alta efficienza. Questi MOSFET sono caratterizzati da un valore molto basso di resistenza totale tra fonte e uscita (RDS(on)), che riduce al minimo le perdite di conduzione e migliora le prestazioni complessive del sistema. Inoltre, offrono una resistenza termica superiore, garantendo una migliore dissipazione del calore e una maggiore affidabilità nelle applicazioni più impegnative. Queste caratteristiche li rendono ideali per vari progetti di gestione della potenza e di efficienza energetica.
Prodotto testato al 100% contro le scariche disruptive a valanga
Placcatura senza Pb e conforme a RoHS
Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21
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