2 MOSFET Infineon Duale, canale Tipo N, 35 mΩ, 5 A 55 V, DSO, Superficie Miglioramento, 8 Pin BSO604NS2XUMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4625
Codice costruttore:
BSO604NS2XUMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

DSO

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

35mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19.7nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

4.9mm

Larghezza

3.94 mm

Altezza

1.47mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il design Infineon dei MOSFET, noti anche come transistor MOSFET, sta per 'transistor a effetto di campo' di ossido di metallo. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Livello logico

Prodotto ecologico in modalità potenziata (conforme alla direttiva RoHS)

Qualifica AEC

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