MOSFET Infineon Duale, canale N, 35 mΩ, 20 A 55 V, TDSON, Montaggio superficiale Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
258-3877
Codice costruttore:
IPG20N06S2L35AATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

20A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

TDSON

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

35mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

65W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Duale

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il transistor di potenza OptiMOS Infineon è un doppio Super S08 in grado di sostituire più DPAK per un notevole risparmio di area su circuito stampato e una riduzione dei costi a livello di sistema. Collegamento del telaio del cavo sorgente più grande per l'incollaggio dei fili e le stesse prestazioni termiche ed elettriche di un DPAK con le stesse dimensioni dello stampo.

Livello logico a canale N doppio - modalità di potenziamento

Certificazione AEC Q101

MSL1 fino a 260 °C di riflusso di picco

Temperatura d'esercizio 175 °C

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