2 Array MOSFET Infineon Duale, canale Tipo N, 26 mΩ, 20 A 60 V, TDSON, Superficie Miglioramento, 8 Pin
- Codice RS:
- 223-8523
- Codice costruttore:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 1,089 € | 16,34 € |
| 75 - 135 | 1,035 € | 15,53 € |
| 150 - 360 | 1,013 € | 15,20 € |
| 375 - 735 | 0,949 € | 14,24 € |
| 750 + | 0,883 € | 13,25 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 223-8523
- Codice costruttore:
- IPG20N06S4L26AATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | Array MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 20A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 26mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 15nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 33W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 5.15mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 1mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto Array MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 20A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo di package TDSON | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 26mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 15nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 33W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 5.15mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 1mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET doppio a canale N serie OptiMOS Infineon ha una tensione da drain a source di Presenta i vantaggi di un collegamento del telaio del cavo sorgente più grande per il collegamento del filo e il collegamento del filo è 200um per un massimo di 20A di corrente.
Qualifica per uso automobilistico AEC Q101
MSL1 •fino a 260 °C Peak Reflow
Temperatura d'esercizio •175 °C.
•pacchetto verde
RDS ultra bassa •
Testato con effetto valanga •100%
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