1 Array MOSFET Infineon Duale, canale Tipo N, 3.6 mΩ, 21 A 30 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin IRF7831TRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-2586
Codice costruttore:
IRF7831TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

Array MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

21A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

40nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±12 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET di potenza Infineon HEXFET ha una tensione di sorgente di drain massima di 30V in un contenitore SO-8. È dotato di convertitore buck sincrono point-of-load ad alta frequenza per applicazioni in reti e sistemi informatici.

Conformità RoHS

Qualità leader del settore

Bassa resistenza RDS(ON) a 4,5 V VGS

Tensione con effetto valanga completamente caratterizzato e corrente

Bassissima impedenza gate

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