2 MOSFET Infineon Duale, canale N, 500 mΩ, 5.1 A 55 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
223-8452
Codice costruttore:
AUIRF7341QTR
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

500mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

3V

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29nC

Configurazione transistor

Duale

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza Infineon HEXFET in contenitore SO-8 doppio utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. L'efficiente contenitore SO-8 offre caratteristiche termiche migliorate e capacità di doppio stampo MOSFET, il che lo rende ideale in una varietà di applicazioni di potenza.

Advanced Planar Technology

Classificazione DV/DT dinamica

Stadio pilota livello logico

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Commutazione rapida

Senza piombo

Conformità RoHS

Adatto per impieghi automobilistici

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