1 MOSFET Infineon Duale, canale Tipo N, 29 mΩ, 6.6 A 20 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
215-2582
Codice costruttore:
IRF7311TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SO-8

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

29mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.72V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Duale

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.5mm

Larghezza

4 mm

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

No

La serie Infineon HEXFET di quinta generazione di International Rectifier utilizza Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per l'area del silicio. Questi vantaggi, combinati con l'elevata velocità di commutazione e il design robusto del dispositivo per cui il MOSFET di potenza HEXFET è noto, forniscono un dispositivo di livello sufficiente, forniscono al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni. IL MODELLO SO-8 è stato modificato attraverso un telaio conduttore personalizzato per migliori caratteristiche termiche e capacità multi-die, il che lo rende ideale in una varietà di applicazioni di potenza. Con questo miglioramento, è possibile utilizzare più dispositivi in un'applicazione con uno spazio sulla scheda notevolmente ridotto. Il contenitore è progettato per la fase vapore, a infrarossi per tecniche di saldatura a onda.

Tecnologia di generazione V.

Resistenza ultra bassa in stato attivo

Per montaggio superficiale

Classificazione completa a valanga

MOSFET a canale doppio N.

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