1 MOSFET Infineon Duale, canale Tipo N, 29 mΩ, 6.6 A 20 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin IRF7311TRPBF
- Codice RS:
- 215-2583
- Codice Distrelec:
- 304-39-415
- Codice costruttore:
- IRF7311TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 215-2583
- Codice Distrelec:
- 304-39-415
- Codice costruttore:
- IRF7311TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6.6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 29mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 18nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 0.72V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Duale | |
| Altezza | 1.5mm | |
| Lunghezza | 5mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6.6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 29mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 18nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 0.72V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Duale | ||
Altezza 1.5mm | ||
Lunghezza 5mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie Infineon HEXFET di quinta generazione di International Rectifier utilizza Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per l'area del silicio. Questi vantaggi, combinati con l'elevata velocità di commutazione e il design robusto del dispositivo per cui il MOSFET di potenza HEXFET è noto, forniscono un dispositivo di livello sufficiente, forniscono al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di applicazioni. IL MODELLO SO-8 è stato modificato attraverso un telaio conduttore personalizzato per migliori caratteristiche termiche e capacità multi-die, il che lo rende ideale in una varietà di applicazioni di potenza. Con questo miglioramento, è possibile utilizzare più dispositivi in un'applicazione con uno spazio sulla scheda notevolmente ridotto. Il contenitore è progettato per la fase vapore, a infrarossi per tecniche di saldatura a onda.
Tecnologia di generazione V.
Resistenza ultra bassa in stato attivo
Per montaggio superficiale
Classificazione completa a valanga
MOSFET a canale doppio N.
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