1 MOSFET Infineon Duale, canale Tipo N, 130 mΩ, 3 A 50 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin AUIRF7103QTR

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

13,52 €

(IVA esclusa)

16,49 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 2260 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 901,352 €13,52 €
100 - 2401,285 €12,85 €
250 - 4901,231 €12,31 €
500 - 9901,176 €11,76 €
1000 +1,096 €10,96 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4608
Codice costruttore:
AUIRF7103QTR
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

50V

Tipo di package

SO-8

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

130mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Duale

Lunghezza

5mm

Altezza

1.5mm

Standard/Approvazioni

No

Numero elementi per chip

1

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il design Infineon dei MOSFET di potenza HEXFET® utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una bassa resistenza all'accensione per area di silicio. Questo vantaggio, Unito all'elevata velocità di commutazione e al design robusto del dispositivo per cui sono noti i MOSFET di potenza HEXFET, offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso nel settore automobilistico e un'ampia varietà di altre applicazioni.

Avanzata tecnologia planare

MOSFET a canale doppio N a bassa resistenza in stato attivo

Stadio pilota livello logico

Link consigliati