2 MOSFET Infineon Mofset a doppio canale N, canale Tipo N, 65 mΩ, 5.1 A 55 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Codice RS:
217-2601
Codice costruttore:
IRF7341GTRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

5.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Tipo di package

SO-8

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

65mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

2.4W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Configurazione transistor

Mofset a doppio canale N

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.5mm

Lunghezza

5mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza Infineon HEXFET ® in contenitore SO-8 doppio utilizzano le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questi MOSFET di potenza HEXFET sono una temperatura d'esercizio con giunzione a 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliore valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo. Questi vantaggi si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di altre applicazioni. Il valore nominale di 175 °C per il contenitore SO-8 fornisce migliori prestazioni termiche con una maggiore area di funzionamento sicura e la capacità di doppio stampo MOSFET lo rendono ideale in una varietà di applicazioni di potenza. Questo SO-8 a montaggio superficiale doppio può ridurre drasticamente lo spazio sulla scheda ed è disponibile anche in nastro e bobina.

Avanzata tecnologia di processo

MOSFET a doppio a canale N

Resistenza ultra bassa in stato attivo

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax

Senza piombo

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