2 MOSFET Infineon Mofset a doppio canale N, canale Tipo N, 65 mΩ, 5.1 A 55 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2603
Codice costruttore:
IRF7341GTRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

5.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

55V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

65mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2.4W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Configurazione transistor

Mofset a doppio canale N

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.5mm

Lunghezza

5mm

Larghezza

4 mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza Infineon HEXFET ® in contenitore SO-8 doppio utilizzano le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questi MOSFET di potenza HEXFET sono una temperatura d'esercizio con giunzione a 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliore valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo. Questi vantaggi si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di altre applicazioni. Il valore nominale di 175 °C per il contenitore SO-8 fornisce migliori prestazioni termiche con una maggiore area di funzionamento sicura e la capacità di doppio stampo MOSFET lo rendono ideale in una varietà di applicazioni di potenza. Questo SO-8 a montaggio superficiale doppio può ridurre drasticamente lo spazio sulla scheda ed è disponibile anche in nastro e bobina.

Avanzata tecnologia di processo

MOSFET a doppio a canale N

Resistenza ultra bassa in stato attivo

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax

Senza piombo

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