MOSFET Infineon, canale N, 65 MO, 5,1 A, SO-8, Montaggio superficiale

I MOSFET di potenza Infineon HEXFET ® in contenitore SO-8 doppio utilizzano le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questi MOSFET di potenza HEXFET sono una temperatura d'esercizio con giunzione a 175 °C, elevata velocità di commutazione e migliore valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo. Questi vantaggi si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in un'ampia varietà di altre applicazioni. Il valore nominale di 175 °C per il contenitore SO-8 fornisce migliori prestazioni termiche con una maggiore area di funzionamento sicura e la capacità di doppio stampo MOSFET lo rendono ideale in una varietà di applicazioni di potenza. Questo SO-8 a montaggio superficiale doppio può ridurre drasticamente lo spazio sulla scheda ed è disponibile anche in nastro e bobina.

Avanzata tecnologia di processo
MOSFET a doppio a canale N
Resistenza ultra bassa in stato attivo
Temperatura d'esercizio: 175 °C
Effetto valanga ripetitivo consentito fino a Tjmax
Senza piombo