MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 5.05 mΩ Miglioramento, 65 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

3222,00 €

(IVA esclusa)

3930,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 6000 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +1,074 €3.222,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
134-9160
Codice costruttore:
SIR668DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

65A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.05mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

72nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.26 mm

Altezza

1.12mm

Lunghezza

6.25mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati