MOSFET Vishay, canale N 100 V, 5.05 mΩ Miglioramento, 65 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR668DP-T1-RE3

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Codice RS:
134-9160
Codice costruttore:
SIR668DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

65A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.05mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

72nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.26mm

Lunghezza

6.25mm

Altezza

1.12mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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