MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.62 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

3531,00 €

(IVA esclusa)

4308,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 14 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +1,177 €3.531,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
204-7233
Codice costruttore:
SIDR392DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SiDR392DP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.62mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

188nC

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.15mm

Larghezza

5.15 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay a canale N da 30 V (D-S) è dotato di una funzione di raffreddamento Top Side che fornisce un luogo aggiuntivo per il trasferimento termico. Ha ottimizzato il rapporto Qg, Qgd e Qgd/QGS per ridurre la perdita di potenza correlata alla commutazione.

Testato al 100% Rg e UIS

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Link consigliati