MOSFET Vishay, canale N 30 V, 0.62 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIDR392DP-T1-RE3

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Codice RS:
204-7233
Codice costruttore:
SIDR392DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SO-8

Serie

SiDR392DP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.62mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

188nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.15mm

Larghezza

5.15mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay a canale N da 30 V (D-S) è dotato di una funzione di raffreddamento Top Side che fornisce un luogo aggiuntivo per il trasferimento termico. Ha ottimizzato il rapporto Qg, Qgd e Qgd/QGS per ridurre la perdita di potenza correlata alla commutazione.

Testato al 100% Rg e UIS

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