MOSFET Vishay, canale Tipo N 25 V, 0.58 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

5643,00 €

(IVA esclusa)

6885,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 20 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +1,881 €5.643,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
204-7230
Codice costruttore:
SIDR220DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

SO-8

Serie

SiDR220DP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.58mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

200nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.25mm

Larghezza

5.15 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay N-Channel da 25 V (D-S) ha un rapporto Qg, Qgd e Qgd/QGS ottimizzato che riduce la perdita di potenza correlata alla commutazione.

Testato al 100% Rg e UIS

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Link consigliati