MOSFET Vishay, canale Tipo N 25 V, 0.58 mΩ Miglioramento, 335 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIRA20BDP-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

13,69 €

(IVA esclusa)

16,70 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 2980 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 452,738 €13,69 €
50 - 1202,468 €12,34 €
125 - 2451,92 €9,60 €
250 - 4951,702 €8,51 €
500 +1,562 €7,81 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2916
Codice costruttore:
SIRA20BDP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

335A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.58mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

124nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il TrenchFET Vishay a canale N è un MOSFET da 25 V.

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.