MOSFET Vishay, canale Tipo N 25 V, 0.58 mΩ Miglioramento, 335 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIRA20BDP-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
228-2916
Codice costruttore:
SIRA20BDP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

335A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.58mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

124nC

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il TrenchFET Vishay a canale N è un MOSFET da 25 V.

Testato al 100% Rg e UIS

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